金属卤化物钙钛矿在照明领域的应用方面体现出优异的性能，包罗高光致发光量子产率（PLQY）、身分可调性和窄发射线宽。最近，纳米结构的钙钛矿NIR-LED显示出100小时的器件稳定性。近红外发射钙钛矿纳米晶提供了准确的光学性能控制，但由于大要积配体的存在，其光电性能较差。

准2D钙钛矿体系由于能够平衡高导电性和稳定性，同时能够准确调治纳米结构的颜色，以及生产单晶LED的可能性，因此受到了广泛的关注。本文综述了近红外发射钙钛矿质料的最新希望。比力了差别的结构框架，以及它们在颜色稳定性、EQE和设备稳定性方面临LED性能的影响。详细讨论了钙钛矿型近红外发光二极管（NIR-LED）质料每一类结构所面临的实际挑战以及克服这些障碍的可能计谋。

论文以题目为“Recent Advancements in Near-Infrared Perovskite Light-Emitting Diodes”揭晓在ACS Applied Electronic Materials 期刊上。论文链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsaelm.0c00825论文整体框架如下：首先形貌了LED的简要历史以及金属卤化物钙钛矿LED；然后先容了钙钛矿近红外发光二极管，包罗近红外钙钛矿和钙钛矿近红外发光二极管的制备)。接着先容了近红外钙钛矿质料的结构与性能，包罗块材质料、钙钛矿量子点/纳米晶发光二极管。

之后先容了器件工程以进一步提高LED性能。最后提出了展望。图1。

（a）差别浓度FAPbI3钙钛矿薄膜的扫描电镜图像。（b）各样品的XRD图谱。（c）差别样品的光致发光光谱显示，由于粒度减小，浓度增加，蓝移。

（d）作为样品中浓度函数的装配式装置的方程。图2。

（a）ITO/ZnO/PEIE/FAPbI3/poly-TPD/MoO3/Al器件在差别电压下的器件原理图和相对EL谱。（b）电流密度-电压-亮度曲线。

（c）EQE与电流密度曲线。（d）归一化EQE与时间的关系讲明了小器件的器件稳定性。（e）大面积装置（30×30mm2）的照片，显示整个基板的匀称光强度。

（f）大面积器件的EQE与电流密度关系图，插图显示了器件的再现性。图3。（a）(C8H9NH3)2(CH3NH3)n−1PbnI3n+1准二维钙钛矿晶体结构随面数变化的示意图。

（b）薄膜中差别单分子膜数目制备发光二极管的能量图。（c）这些器件中能量漏斗机制的表现，其中较大的带隙发射载流子通过能量漏斗集中到最小的带隙质料上。（d）差别单分子膜数（n值）器件的EL谱。（e）显示EQE与单分子膜数之间关系的图表。

（g） 相纯准2D钙钛矿薄膜中差别平面数的EL峰位。（h）在(BA)2(MA)n−1PbnI3n+1 (n = 4 and 5)的10个器件中打开电压（Von）。图4。

（a）调整钙钛矿中BAB和FA比例以调治层数的晶体结构示意图。（b）钙钛矿型LED器件原理图。（c）（BAB）FAn−1PbnI3n+1钙钛矿的EL光谱，在BAB和DA之间改变比例，以调治量子限制的光学性质。（d）EQE与时间曲线显示器件寿命为100h。

（e） EQE与电流密度曲线显示，纵然在高电流密度下，DJ相钙钛矿型LED的效率下降也很低。(文：爱新觉罗星)本文来自微信民众号“质料科学与工程”。接待转载请联系，未经许可谢绝转载至其他网站。

本文来源：万博手机版max网页版登录-www.acpwe.com